FHD沉積系統設計為在最短的時間內在基底上沉積硅和在基底上沉積硅酸鹽（二氧化硅），特別適用于光波導工藝的二氧化硅沉積，薄膜厚度達到25微米以上。
-技術優勢
1.首款自主研發的FHD鍍膜設備 ，TGV鍍銅設備實現國外競品完全對標 ，產品已進客戶端量產。
2.FHD鍍膜設備 ，TGV鍍銅設備為切入口 ，布局半導體光量子集成芯片和先進封裝制程中合成石英和光纖設備及產品線，可替代進口設備；
3.核心團隊具有十年以上精密半導體裝備開發及量產經驗 ，掌握半導體設備開發的核心技術和工藝，具有高端半導體制程設備的研發能力，能為客戶提供整線解決方案和服務。
-高性價比
關鍵零部件實現了供應鏈自主可控 ，原材料風險小。